Изображение служит только для ознакомления, перед покупкой уточняйте точные характеристики в технической документации!
CM100DY-24A, 2 IGBT 1200V 100A 5-gen (A-Series)
УТ000075179
Нет отзывов
CM100DY-24A, 2 IGBT 1200V 100A 5-gen (A-Series)

CM100DY-24A, 2 IGBT 1200V 100A 5-gen (A-Series)

CM100DY-24A, 2 IGBT 1200V 100A 5-gen (A-Series)
CM100DY-24A, 2 IGBT 1200V 100A 5-gen (A-Series)
Доставка курьером по Москве (в пределах МКАД)

Ориентировочная стоимость (Время доставки и итоговая стоимость согласуются индивидуально с каждым клиентом):

Товар весом до 10 кг - 500 ₽

Товар весом свыше 10 кг - 800 ₽

Доставка в любой регион РФ почтой России и транспортными компаниями: СДЭК, 5POST, Boxberry, Деловые линии, DPD.

Стоимость доставки зависит от города назначения и размера посылки. Вы можете самостоятельно рассчитать стоимость доставки на сайтах транспортных компаний.

Самовывоз по адресу г. Москва Варшавское ш., д.26, стр. 10

Выдача товара производится согласно графика работы:

Пн-Чт: с 9:00 до 18:00

Пт: с 9:00 до 17:00

Обед с 13:00 до 14:00 - выдача товара не производится.


Оплата только безналичным способом!
Мы не работаем с наличным расчетом

Вы можете оплатить заказ следующими способами:

  • Онлайн оплата банковской картой (Visa, MasterCard, МИР, Union Pay) через процессинговый центр ПАО «Сбербанк».
  • Через систему быстрых платежей (СБП) по QR-коду.
  • Через агрегаторов платежных систем Ю-касса или LifePay.
  • В личном кабинете «Сбербанк Онлайн» в разделе «Переводы и платежи», «Перевод организации».
  • Лично в отделении банка при предъявлении распечатанного счета.
Силовые IGBT модули А-серии 5-го поколения предназначены для применения в системах электропривода, сервопривода и оборудования для электросварки. Производство модулей А-серии 5-го поколения совмещает в себе две уникальных технологии: это CSTBT - Carrier Stored Trench Bipolar Transistor (траншейный транзистор с накоплением заряда), и LPT - Light Punch Through (технология легкого пробоя), что даёт низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat)= 2,4 В при температуре перехода 125оC, низкую энергию переключения E(on) и E(off), а также высокую надежность при коротком замыкании. 5-е поколение модулей А-серии благодаря особому соединению контактов и кристалла внутри модуля имеет низкую внутреннюю индуктивность.
Благодаря использованию подложки из материала AlN достигнуто превосходное тепловое сопротивление по сравнению с существующими на рынке приборами аналогичного класса. Кроме этого, получены улучшенные характеристики термоциклирования за счет внедрению технологии Wire Bumps. Такая технология позволила значительно увеличить производительность модуля.
В результаты, силовые модули Mitsubishi работают с выходными токами на 10% выше рыночных стандартов, а также имеют на 15% улучшенное термосопротивление переход-корпус.
Бренд
Производитель
Mitsubishi Electric
Основная группа
MOSFET и IGBT модули
Нет отзывов
Ваша оценка
Введите свои данные
Оставляя комментарий, Вы соглашаетесь на обработку персональных данных

Популярные товары

1
Хит
Товар дня
Доставка в течение 1 дня
499 ₽
1
Хит
Доставка в течение 1 дня
349 ₽
1
Хит
ATC
Доставка в течение 1 дня
1 487 ₽
1
Хит
Доставка в течение 1 дня
10 554 ₽
1
Хит
Товар дня
Доставка в течение 1 дня
299 ₽
1
Хит
Доставка в течение 1 дня
699 ₽
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

Вы недавно смотрели


		
Выберете количество