Силовые электронные компоненты — транзисторы IGBT и MOSFET — применяются в импульсных преобразователях. Они обладают уникальными динамическими и статическими характеристиками, что позволяет при минимальных габаритах иметь КПД более 95 % и отдавать в нагрузку сотни киловатт.
Драйверы MOSFET и IGBT имеют кое-что общее — это изолированный затвор и схожие характеристики управления. Классификация высоковольтных устройств:
Мощные MOSFET-транзисторы и биполярные транзисторы с изолированным затвором, то есть IGBT-транзисторы являются базовыми элементами современной силовой электроники и используются в качестве элементов коммутации больших токов и напряжений.
Техническими характеристиками данных элементов являются:
При построении некоторых приборов в бытовой сфере, промышленной используются микросхемы драйверов, позволяющие работать как с нижними, так и нижними ключами стойки, называемыми полумостами. Конструкция драйвера должна выдерживать напряжение в несколько сотен ватт, поэтому использование встроенной схемы защиты MOSFET и IGBT дает дополнительные возможности организации процесса работы.
Основные дополнительные функции, которые полезны при управлении мощными MOSFET и IGBT ключами:
В интернет-магазине «Созвездие» можно купить качественные драйверы с доставкой или самовывозом. Продажи ведутся оптом и в розницу, выбор легко сделать онлайн. Заказывайте товары от лучших производителей, оплачивайте по безналу, получайте изделия с гарантией. Наше сотрудничество будет выгодным!