Обратите внимание! Работаем только по безналичному расчету! Минимальный заказ - 499 рублей!
КАТАЛОГ ТОВАРОВ

MOSFET и IGBT модули

Описание категории

IGBT модули — это силовая сборка, основу которой составляют IGBT-транзисторы - полупроводниковые приборы, сочетающие в себе как биполярный, так и полевой транзисторы. Купить IGBT модули можно в интернет-магазине «Созвездие». На всю поставляемую продукцию предоставляется гарантия.


Сортировать по:
Показать:
IRAMS10UP60A-2,IPM 600В 10А SIP1

IRAMS10UP60A-2, IPM 600В 10А SIP1

2-4 Дня

907,32

SKIIP25AC126V1

SKIIP25AC126V1

2-4 Дня

6 964,45

SKM200GB12V

SKM200GB12V

2-4 Дня

8 938,67

CM200RL-12NF, 7 IGBT 600V 200A 5-gen (NF-Series)

CM200RL-12NF, 7 IGBT 600V 200A 5-gen (NF-Series)

2-3 Дня

14 150,45

CM600HU-24F, 1 IGBT RTC 1200V 600A 4-gen (F-Series)

CM600HU-24F, 1 IGBT RTC 1200V 600A 4-gen (F-Series)

1 неделя

19 793,16

PS11011,IPS mod 0.1кВт/600В 1/3фаз

PS11011, IPS mod 0.1кВт/600В 1/3фаз

1 неделя

4 083,32

PS21543-G

PS21543-G

1 неделя

1 799,70

CM1200DC-34N, 2 HV-IGBT 1700V 1200A

CM1200DC-34N, 2 HV-IGBT 1700V 1200A

2-3 Дня

45 412,49

IRAMX16UP60A-2,IPM 600В 16А SIP2

IRAMX16UP60A-2, IPM 600В 16А SIP2

2-4 Дня

2 235,94

CM75DY-34T, 2 IGBT 1700V 75A 5-gen (T-Series)

CM75DY-34T, 2 IGBT 1700V 75A 5-gen (T-Series)

2-3 Дня

3 519,35

SKM75GB176D

SKM75GB176D

2-4 Дня

4 892,23

CM300DY-12NF, 2 IGBT 600V 300A 5-gen (NF-Series)

CM300DY-12NF, 2 IGBT 600V 300A 5-gen (NF-Series)

2-3 Дня

7 273,62

PS11012,IPS mod 0.2кВт/600В 1/3фаз

PS11012, IPS mod 0.2кВт/600В 1/3фаз

1 неделя

4 720,70

CM1200HA-34H, 1 HV-IGBT 1700V 1200A

CM1200HA-34H, 1 HV-IGBT 1700V 1200A

2-3 Дня

36 900,00

PM25CL1A120, 6 IGBT 1200V 25A 5-gen (L1-Series)

PM25CL1A120, 6 IGBT 1200V 25A 5-gen (L1-Series)

2-3 Дня

6 895,13

CM150TU-12H

CM150TU-12H

1 неделя

9 928,85

SKM800GA176D

SKM800GA176D

2-4 Дня

13 732,03

CM300DY-12NF, 2 IGBT 600V 300A 5-gen (NF-Series)

CM300DY-12NF, 2 IGBT 600V 300A 5-gen (NF-Series)

2-4 Дня

7 450,69

Страницы:

Всего товаров: 172

MOSFET и IGBT-модули управляют потоком носителей заряда с помощью создания электрического поля затвора, то есть благодаря прилагаемому к затвору напряжению.

Если IGBT-транзистор находится в состоянии open, то рабочий ток течет по переходу p-n. В модулях MOSFET ток идет каналом сток/исток с резистивным типом. Возможности для рассеивания мощности у них различны:

  • MOSFET-модуль имеет рассеиваемую мощность, которая пропорциональна квадрату канального тока и сопротивлению канала.
  • IGBT (БТИЗ) — мощность, которая пропорциональна канальному току в 1-й степени и напряжению насыщения коллектор/эмиттер.

Для снижения потерь на ключе уместен будет выбор MOSFET-модуля с минимальным сопротивлением канала. Но следует помнить: чем выше температура полупроводника, тем выше сопротивление и затрата на нагревание. В IGBT-модулях с повышением температуры напряжение насыщения ниже, затраты на нагревание — тоже. Динамические характеристики в последних ограничены, как и предельная рабочая частота.

Интернет-магазин «Созвездие» приглашает к сотрудничеству юридических и частных лиц. Мы реализуем высококачественные электронные компоненты выгодно оптом и в розницу. Покупка возможна по безналу, с оформлением на доставку или самовывоз. Дешевые радиодетали от лучших мировых производителей — товары с гарантийными документами ждут вас!