Обратите внимание! Работаем только по безналичному расчету! Минимальный заказ - 499 рублей!
КАТАЛОГ ТОВАРОВ

MOSFET и IGBT модули

Описание категории

IGBT модули — это силовая сборка, основу которой составляют IGBT-транзисторы - полупроводниковые приборы, сочетающие в себе как биполярный, так и полевой транзисторы. Купить IGBT модули можно в интернет-магазине «Созвездие». На всю поставляемую продукцию предоставляется гарантия.


Сортировать по:
Показать:
IRAM136-3063B,IPM 600В 30А SIP3

IRAM136-3063B, IPM 600В 30А SIP3

2-3 Дня

2 341,94

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

1 неделя

6 572,02

BSM75GB120DN2

BSM75GB120DN2

2-4 Дня

8 331,81

SKM200GB125D

SKM200GB125D

2-4 Дня

8 031,08

CM100DY-34A, 2 IGBT 1700V 100A 5-gen (A-Series)

CM100DY-34A, 2 IGBT 1700V 100A 5-gen (A-Series)

2-3 Дня

5 891,48

CM600DU-24NF, 2 IGBT 1200V 600A 5-gen (NF-Series)

CM600DU-24NF, 2 IGBT 1200V 600A 5-gen (NF-Series)

2-3 Дня

22 041,60

PS12013-A, AS-IPM 0.4кВт AC400V

PS12013-A, AS-IPM 0.4кВт AC400V

1 неделя

6 047,11

SKM100GB12T4

SKM100GB12T4

2-3 Дня

3 720,00

SKM50GB12T4

SKM50GB12T4

2-4 Дня

4 711,80

IRAM136-3063B,IPM 600В 30А SIP3

IRAM136-3063B, IPM 600В 30А SIP3

2-4 Дня

4 433,95

SKIIP13NAB065V1

SKIIP13NAB065V1

2-4 Дня

4 121,02

CM200DY-24NF, 2 IGBT 1200V 200A 5-gen (NF-Series)

CM200DY-24NF, 2 IGBT 1200V 200A 5-gen (NF-Series)

2-3 Дня

14 214,16

CM600DU-24NF, 2 IGBT 1200V 600A 5-gen (NF-Series)

CM600DU-24NF, 2 IGBT 1200V 600A 5-gen (NF-Series)

1 неделя

22 152,84

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

2-3 Дня

5 866,06

SKM100GB12T4

SKM100GB12T4

2-4 Дня

4 349,35

CM1000HA-24H, 1 IGBT 1200V 1000A 3-gen (H-Series)

CM1000HA-24H, 1 IGBT 1200V 1000A 3-gen (H-Series)

1 неделя

47 980,02

CM50BU-24H, 4 IGBT 1200V 50A 3-gen (U-Series)

CM50BU-24H, 4 IGBT 1200V 50A 3-gen (U-Series)

2-3 Дня

6 401,20

PS22A74,DIP-IPM ver4. 1200В 15А

PS22A74, DIP-IPM ver4. 1200В 15А

2-3 Дня

2 528,88

SKM195GB126D

SKM195GB126D

2-4 Дня

8 628,03

CM200RL-12NF, 7 IGBT 600V 200A 5-gen (NF-Series)

CM200RL-12NF, 7 IGBT 600V 200A 5-gen (NF-Series)

2-3 Дня

14 468,46

Страницы:

Всего товаров: 150

MOSFET и IGBT-модули управляют потоком носителей заряда с помощью создания электрического поля затвора, то есть благодаря прилагаемому к затвору напряжению.

Если IGBT-транзистор находится в состоянии open, то рабочий ток течет по переходу p-n. В модулях MOSFET ток идет каналом сток/исток с резистивным типом. Возможности для рассеивания мощности у них различны:

  • MOSFET-модуль имеет рассеиваемую мощность, которая пропорциональна квадрату канального тока и сопротивлению канала.
  • IGBT (БТИЗ) — мощность, которая пропорциональна канальному току в 1-й степени и напряжению насыщения коллектор/эмиттер.

Для снижения потерь на ключе уместен будет выбор MOSFET-модуля с минимальным сопротивлением канала. Но следует помнить: чем выше температура полупроводника, тем выше сопротивление и затрата на нагревание. В IGBT-модулях с повышением температуры напряжение насыщения ниже, затраты на нагревание — тоже. Динамические характеристики в последних ограничены, как и предельная рабочая частота.

Интернет-магазин «Созвездие» приглашает к сотрудничеству юридических и частных лиц. Мы реализуем высококачественные электронные компоненты выгодно оптом и в розницу. Покупка возможна по безналу, с оформлением на доставку или самовывоз. Дешевые радиодетали от лучших мировых производителей — товары с гарантийными документами ждут вас!