КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Обнаружили неточность?

Если Вы обнаружили на сайте неточность или столкнулись с проблемой, пожалуйста, дайте нам об этом знать.
Напишите нам

MOSFET и IGBT модули

Описание категории
Производитель
Сбросить фильтр
Сортировать по:
SKM100GB176D

Semikron

SKM100GB176D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 171,55

PM10CZF120, 6 IGBT модуль 1200V 10A 3-gen (S-Series)

Mitsubishi Electric

PM10CZF120, 6 IGBT модуль 1200V 10A 3-gen (S-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

1 574,40

SKM195GB066D

Semikron

SKM195GB066D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 403,16

SKM75GB12T4

Semikron

SKM75GB12T4

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 855,03

RA30H1317M1-501

Mitsubishi Electric

RA30H1317M1-501

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

2 666,64

PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 532,24

FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF225R12ME4BOSA1

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

11 819,83

PM100CVA120, 6 IGBT модуль 1200V 100A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM100CVA120, 6 IGBT модуль 1200V 100A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

9 992,12

MAX845ESA+, Микросхема драйв.разв.пит. SO8

Maxim Integrated

MAX845ESA+, Микросхема драйв.разв.пит. SO8

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

259,54

SKM100GB125DN

Semikron

SKM100GB125DN

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 774,59

FZ1500R33HE3BPSA1 IGBT модуль FZ1500R33HE3 SP001181576 IN

Infineon Technologies

FZ1500R33HE3BPSA1 IGBT модуль FZ1500R33HE3 SP001181576 IN

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

218 117,28

SKM150GB12T4

Semikron

SKM150GB12T4

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 602,68

PM75CVA120, 6 IGBT 1200V 75A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM75CVA120, 6 IGBT 1200V 75A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 985,20

PS12034, Силовой модуль 6IGBT+ 3-х фазный диодный мост (1200В 10A)

Mitsubishi Electric

PS12034, Силовой модуль 6IGBT+ 3-х фазный диодный мост (1200В 10A)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 421,68

PM50RSD120, 7 IGBT модуль 1200V 50A 4-gen (S-Dash-Series)

Mitsubishi Electric

PM50RSD120, 7 IGBT модуль 1200V 50A 4-gen (S-Dash-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 258,93

PS22A76,DIP-IPM ver4. 1200В 25А

Mitsubishi Electric

PS22A76, DIP-IPM ver4. 1200В 25А

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 276,11

SKM150GAL12T4, Модуль IGBT

Semikron

SKM150GAL12T4, Модуль IGBT

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 628,66

SKM200GB125D

Semikron

SKM200GB125D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

9 131,84

FF100R12RT4

Infineon Technologies

FF100R12RT4

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

5 137,96

CM400DY-34A, 2 IGBT 1700V 400A 5-gen (A-Series)

Mitsubishi Electric

CM400DY-34A, 2 IGBT 1700V 400A 5-gen (A-Series)

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

21 708,64

SKIIP11NAB126V1

Semikron

SKIIP11NAB126V1

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 091,72

SKM400GB125D

Semikron

SKM400GB125D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

14 125,72

MG12200D-BA1MM,  IGBT-модуль сдвоенный (1200В 200А)

Littelfuse

MG12200D-BA1MM, IGBT-модуль сдвоенный (1200В 200А)

В избранное

В избранное
В наличии В избранное

10 087,01

SKM300GB125D

Semikron

SKM300GB125D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

9 098,21

CM200DX-24S, 2 IGBT 200A 1200V NX6

Mitsubishi Electric

CM200DX-24S, 2 IGBT 200A 1200V NX6

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

6 839,48

SEMIX302GB066HDS

Semikron

SEMIX302GB066HDS

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 361,29

SKM200GB126D

Semikron

SKM200GB126D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

7 618,39

CP30TD1-12A, 3-ф+тормозн+мост 30A 600V

Mitsubishi Electric

CP30TD1-12A, 3-ф+тормозн+мост 30A 600V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 780,14

CM200DU-24NFH, 2 IGBT 1200V 200A 50kHz (NFH-Series)

Mitsubishi Electric

CM200DU-24NFH, 2 IGBT 1200V 200A 50kHz (NFH-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

10 538,14

SKIIP35NAB126V1, Модуль силовой

Semikron

SKIIP35NAB126V1, Модуль силовой

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

11 972,57

CM100DY-34A, 2 IGBT 1700V 100A 5-gen (A-Series)

Mitsubishi Electric

CM100DY-34A, 2 IGBT 1700V 100A 5-gen (A-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

7 112,38

PM450DV1A120, 1200V 450A (V1-Series)

Mitsubishi Electric

PM450DV1A120, 1200V 450A (V1-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

18 844,58

SKM100GB063D

Semikron

SKM100GB063D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 034,17

PS22A74,DIP-IPM ver4. 1200В 15А

Mitsubishi Electric

PS22A74, DIP-IPM ver4. 1200В 15А

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

2 894,69

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

Mitsubishi Electric

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

2 479,68

CM300DX-24S, 2 IGBT 300A 1200V NX6

Mitsubishi Electric

CM300DX-24S, 2 IGBT 300A 1200V NX6

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

9 359,29

CM150DX-34SA, 6 IGBT модуль 150A 1700V NX6

Mitsubishi Electric

CM150DX-34SA, 6 IGBT модуль 150A 1700V NX6

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

6 873,31

CM200RL-24NF, 7 IGBT 1200V 200A 5-gen (NF-Series)

Mitsubishi Electric

CM200RL-24NF, 7 IGBT 1200V 200A 5-gen (NF-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

17 452,22

SKM200GB12T4

Semikron

SKM200GB12T4

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

6 016,55

PS22A78-E,DIP-IPM ver4. 1200В 35А

Mitsubishi Electric

PS22A78-E, DIP-IPM ver4. 1200В 35А

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 367,92

SKM400GB126D

Semikron

SKM400GB126D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

11 442,24

CM300HA-24H, 1 IGBT 1200V 300A 3-gen (H-Series)

Mitsubishi Electric

CM300HA-24H, 1 IGBT 1200V 300A 3-gen (H-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

12 523,64

FF1200R12KE3NOSA1

Infineon Technologies

FF1200R12KE3NOSA1

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

116 343,78

PM75RL1A120, 7 IGBT 1200V 75A 5-gen (L1-Series)

Mitsubishi Electric

PM75RL1A120, 7 IGBT 1200V 75A 5-gen (L1-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

14 364,19

CM75E3U-12H, 3 IGBT модуль 600V 75A 3 gen (U-series)

Mitsubishi Electric

CM75E3U-12H, 3 IGBT модуль 600V 75A 3 gen (U-series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 101,00

CM600HU-24F, 1 IGBT RTC 1200V 600A 4-gen (F-Series)

Mitsubishi Electric

CM600HU-24F, 1 IGBT RTC 1200V 600A 4-gen (F-Series)

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

28 700,54

SKM400GB12T4

Semikron

SKM400GB12T4

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

10 686,99

SKIIP13NAB065V1

Semikron

SKIIP13NAB065V1

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

3 601,81

CM200DY-24NF, 2 IGBT 1200V 200A 5-gen (NF-Series)

Mitsubishi Electric

CM200DY-24NF, 2 IGBT 1200V 200A 5-gen (NF-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

13 686,84

SKM200GB176D

Semikron

SKM200GB176D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

9 574,78

Показать еще 50 товаров
Страницы:

Всего товаров: 245

IGBT модули — это силовая сборка, основу которой составляют IGBT-транзисторы - полупроводниковые приборы, сочетающие в себе как биполярный, так и полевой транзисторы. Купить IGBT модули можно в интернет-магазине «Созвездие». На всю поставляемую продукцию предоставляется гарантия.

MOSFET и IGBT-модули управляют потоком носителей заряда с помощью создания электрического поля затвора, то есть благодаря прилагаемому к затвору напряжению.

Если IGBT-транзистор находится в состоянии open, то рабочий ток течет по переходу p-n. В модулях MOSFET ток идет каналом сток/исток с резистивным типом. Возможности для рассеивания мощности у них различны:

  • MOSFET-модуль имеет рассеиваемую мощность, которая пропорциональна квадрату канального тока и сопротивлению канала.
  • IGBT (БТИЗ) — мощность, которая пропорциональна канальному току в 1-й степени и напряжению насыщения коллектор/эмиттер.

Для снижения потерь на ключе уместен будет выбор MOSFET-модуля с минимальным сопротивлением канала. Но следует помнить: чем выше температура полупроводника, тем выше сопротивление и затрата на нагревание. В IGBT-модулях с повышением температуры напряжение насыщения ниже, затраты на нагревание — тоже. Динамические характеристики в последних ограничены, как и предельная рабочая частота.

Интернет-магазин «Созвездие» приглашает к сотрудничеству юридических и частных лиц. Мы реализуем высококачественные электронные компоненты выгодно оптом и в розницу. Покупка возможна по безналу, с оформлением на доставку или самовывоз. Дешевые радиодетали от лучших мировых производителей — товары с гарантийными документами ждут вас!