КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Обнаружили неточность?

Если Вы обнаружили на сайте неточность или столкнулись с проблемой, пожалуйста, дайте нам об этом знать.
Напишите нам

MOSFET и IGBT модули

Описание категории
Производитель
Сбросить фильтр
Сортировать по:
MIC4452YM

Microchip Technology

MIC4452YM

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

150,16

PM10CZF120, 6 IGBT модуль 1200V 10A 3-gen (S-Series)

Mitsubishi Electric

PM10CZF120, 6 IGBT модуль 1200V 10A 3-gen (S-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

826,56

MAX845ESA+, Микросхема драйв.разв.пит. SO8

Maxim Integrated

MAX845ESA+, Микросхема драйв.разв.пит. SO8

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

216,48

CM75DY-34A, 2 IGBT 1700V 75A 5-gen (A-Series)

Mitsubishi Electric

CM75DY-34A, 2 IGBT 1700V 75A 5-gen (A-Series)

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

7 901,42

SKM100GB176D

Semikron

SKM100GB176D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 324,56

CM600E2Y-34H, Brake HV-IGBT 1700V 600A

Mitsubishi Electric

CM600E2Y-34H, Brake HV-IGBT 1700V 600A

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

32 716,02

SKM200GB12T4

Semikron

SKM200GB12T4

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

9 535,91

PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 920,00

FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF225R12ME4BOSA1

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

10 803,47

PM100CVA120, 6 IGBT модуль 1200V 100A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM100CVA120, 6 IGBT модуль 1200V 100A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

6 982,49

SKM150GAL12T4, Модуль IGBT

Semikron

SKM150GAL12T4, Модуль IGBT

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 651,94

PS12034, Силовой модуль 6IGBT+ 3-х фазный диодный мост (1200В 10A)

Mitsubishi Electric

PS12034, Силовой модуль 6IGBT+ 3-х фазный диодный мост (1200В 10A)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 822,91

SKIIP24NAB126V10, Модуль силовой

Semikron

SKIIP24NAB126V10, Модуль силовой

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

7 170,91

PM50RSD120, 7 IGBT модуль 1200V 50A 4-gen (S-Dash-Series)

Mitsubishi Electric

PM50RSD120, 7 IGBT модуль 1200V 50A 4-gen (S-Dash-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

5 090,24

PM75CVA120, 6 IGBT 1200V 75A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM75CVA120, 6 IGBT 1200V 75A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 920,00

FF450R12KE4HOSA1

Infineon Technologies

FF450R12KE4HOSA1

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

15 482,60

SKM300GB125D

Semikron

SKM300GB125D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

19 936,90

CM400DY-34A, 2 IGBT 1700V 400A 5-gen (A-Series)

Mitsubishi Electric

CM400DY-34A, 2 IGBT 1700V 400A 5-gen (A-Series)

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

20 246,63

MG12200D-BA1MM,  IGBT-модуль сдвоенный (1200В 200А)

Littelfuse

MG12200D-BA1MM, IGBT-модуль сдвоенный (1200В 200А)

В избранное

В избранное
В наличии В избранное

12 104,41

CM200DX-24S, 2 IGBT 200A 1200V NX6

Mitsubishi Electric

CM200DX-24S, 2 IGBT 200A 1200V NX6

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

6 378,86

FF100R12RT4

Infineon Technologies

FF100R12RT4

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

5 894,46

CM150DY-24A, 2 IGBT 1200V 150A 5-gen (A-Series)

Mitsubishi Electric

CM150DY-24A, 2 IGBT 1200V 150A 5-gen (A-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

11 709,60

CM400HA-24A#300G, 1 IGBT 1200V 400A 5-gen (A-Series)

Mitsubishi Electric

CM400HA-24A#300G, 1 IGBT 1200V 400A 5-gen (A-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

9 505,44

SEMIX302GB066HDS

Semikron

SEMIX302GB066HDS

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

7 811,77

SKM75GB12T4

Semikron

SKM75GB12T4

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

4 378,37

SKIIP24NAB126V10,

Semikron

SKIIP24NAB126V10,

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

6 896,82

SKIIP24NAB126V10,

Semikron

SKIIP24NAB126V10,

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

6 896,82

PM200DV1A120, 1200V 200A (V1-Series)

Mitsubishi Electric

PM200DV1A120, 1200V 200A (V1-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

15 586,70

CM300DX-24S, 2 IGBT 300A 1200V NX6

Mitsubishi Electric

CM300DX-24S, 2 IGBT 300A 1200V NX6

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

8 728,98

SKIIP28ANB16V1

Semikron

SKIIP28ANB16V1

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

8 199,90

SKHI22AH4R, Hybrid Dual IGBT Driver

Semikron

SKHI22AH4R, Hybrid Dual IGBT Driver

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

15 578,40

SKHI22AH4R, Hybrid Dual IGBT Driver

Semikron

SKHI22AH4R, Hybrid Dual IGBT Driver

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

15 578,40

FF1200R12KE3NOSA1

Infineon Technologies

FF1200R12KE3NOSA1

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

43 952,42

SKM200GB126D

Semikron

SKM200GB126D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

10 988,42

SKM100GB12T4

Semikron

SKM100GB12T4

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

5 806,18

PS22A74,DIP-IPM ver4. 1200В 15А

Mitsubishi Electric

PS22A74, DIP-IPM ver4. 1200В 15А

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

2 585,81

CM150DX-34SA, 6 IGBT модуль 150A 1700V NX6

Mitsubishi Electric

CM150DX-34SA, 6 IGBT модуль 150A 1700V NX6

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

6 278,29

CM200RL-24NF, 7 IGBT 1200V 200A 5-gen (NF-Series)

Mitsubishi Electric

CM200RL-24NF, 7 IGBT 1200V 200A 5-gen (NF-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

15 941,39

BSM10GD120DN2BOSA1 IGBT модуль BSM10GD120DN2 SP000100367

Infineon Technologies

BSM10GD120DN2BOSA1 IGBT модуль BSM10GD120DN2 SP000100367

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

5 055,61

CM400DY-12NF, 2 IGBT 600V 400A 5-gen (NF-Series)

Mitsubishi Electric

CM400DY-12NF, 2 IGBT 600V 400A 5-gen (NF-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

14 293,14

SKM75GB176D

Semikron

SKM75GB176D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 320,98

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

Mitsubishi Electric

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

863,87

CM75E3U-12H, 3 IGBT модуль 600V 75A 3 gen (U-series)

Mitsubishi Electric

CM75E3U-12H, 3 IGBT модуль 600V 75A 3 gen (U-series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

1 367,76

FM600TU-2A, 6-MOSFET 100V 300A

Mitsubishi Electric

FM600TU-2A, 6-MOSFET 100V 300A

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

27 453,60

CM600DX-24S1, 2 IGBT 600A 1200V ( NX6.1- series)

Mitsubishi Electric

CM600DX-24S1, 2 IGBT 600A 1200V ( NX6.1- series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

13 580,93

FF450R12KT4HOSA1

Infineon Technologies

FF450R12KT4HOSA1

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

11 951,80

FS75R12KE3

Infineon Technologies

FS75R12KE3

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

11 720,65

SKIIP12NAB126V1

Semikron

SKIIP12NAB126V1

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 551,95

PM75RL1A120, 7 IGBT 1200V 75A 5-gen (L1-Series)

Mitsubishi Electric

PM75RL1A120, 7 IGBT 1200V 75A 5-gen (L1-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

14 293,14

CM150DX-24S, 6 IGBT 150A 1200V 6-gen (NX-Series)

Mitsubishi Electric

CM150DX-24S, 6 IGBT 150A 1200V 6-gen (NX-Series)

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

4 916,98

CM600DY-12NF, 2 IGBT 600V 600A 5-gen (NF-Series)

Mitsubishi Electric

CM600DY-12NF, 2 IGBT 600V 600A 5-gen (NF-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

15 022,31

CM200DY-24A#300G, 2 IGBT 1200V 200A 5-gen (A-Series), замена CM200DU-24F

Mitsubishi Electric

CM200DY-24A#300G, 2 IGBT 1200V 200A 5-gen (A-Series), замена CM200DU-24F

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

10 209,38

Показать еще 50 товаров
Страницы:

Всего товаров: 256

IGBT модули — это силовая сборка, основу которой составляют IGBT-транзисторы - полупроводниковые приборы, сочетающие в себе как биполярный, так и полевой транзисторы. Купить IGBT модули можно в интернет-магазине «Созвездие». На всю поставляемую продукцию предоставляется гарантия.

MOSFET и IGBT-модули управляют потоком носителей заряда с помощью создания электрического поля затвора, то есть благодаря прилагаемому к затвору напряжению.

Если IGBT-транзистор находится в состоянии open, то рабочий ток течет по переходу p-n. В модулях MOSFET ток идет каналом сток/исток с резистивным типом. Возможности для рассеивания мощности у них различны:

  • MOSFET-модуль имеет рассеиваемую мощность, которая пропорциональна квадрату канального тока и сопротивлению канала.
  • IGBT (БТИЗ) — мощность, которая пропорциональна канальному току в 1-й степени и напряжению насыщения коллектор/эмиттер.

Для снижения потерь на ключе уместен будет выбор MOSFET-модуля с минимальным сопротивлением канала. Но следует помнить: чем выше температура полупроводника, тем выше сопротивление и затрата на нагревание. В IGBT-модулях с повышением температуры напряжение насыщения ниже, затраты на нагревание — тоже. Динамические характеристики в последних ограничены, как и предельная рабочая частота.

Интернет-магазин «Созвездие» приглашает к сотрудничеству юридических и частных лиц. Мы реализуем высококачественные электронные компоненты выгодно оптом и в розницу. Покупка возможна по безналу, с оформлением на доставку или самовывоз. Дешевые радиодетали от лучших мировых производителей — товары с гарантийными документами ждут вас!