Обратите внимание! Работаем только по безналичному расчету! Минимальный заказ - 499 рублей!
КАТАЛОГ ТОВАРОВ

MOSFET и IGBT модули

Описание категории

IGBT модули — это силовая сборка, основу которой составляют IGBT-транзисторы - полупроводниковые приборы, сочетающие в себе как биполярный, так и полевой транзисторы. Купить IGBT модули можно в интернет-магазине «Созвездие». На всю поставляемую продукцию предоставляется гарантия.


Сортировать по:
Показать:
FF300R12KE3 IGBT 1200В, 300А

FF300R12KE3 IGBT 1200В, 300А

2-4 Дня

14 491,19

SKM200GB12V

SKM200GB12V

2-4 Дня

9 393,23

CM300DY-12NF, 2 IGBT 600V 300A 5-gen (NF-Series)

CM300DY-12NF, 2 IGBT 600V 300A 5-gen (NF-Series)

2-3 Дня

7 901,52

IRAMS10UP60A-2,IPM 600В 10А SIP1

IRAMS10UP60A-2, IPM 600В 10А SIP1

2-4 Дня

826,34

SKIIP24NAB126V10, Модуль силовой

SKIIP24NAB126V10, Модуль силовой

2-4 Дня

7 582,20

CM1000DXL-24S, 2 IGBT 1000A 1200V NX6

CM1000DXL-24S, 2 IGBT 1000A 1200V NX6

2-3 Дня

26 219,40

CM600DU-24NF, 2 IGBT 1200V 600A 5-gen (NF-Series)

CM600DU-24NF, 2 IGBT 1200V 600A 5-gen (NF-Series)

2-3 Дня

21 156,00

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

2-3 Дня

5 624,89

SKM75GB12T4

SKM75GB12T4

2-4 Дня

3 738,56

CM300DY-12NF, 2 IGBT 600V 300A 5-gen (NF-Series)

CM300DY-12NF, 2 IGBT 600V 300A 5-gen (NF-Series)

2-4 Дня

8 630,41

SKIIP25AC126V1

SKIIP25AC126V1

2-4 Дня

7 318,61

CM75RX-24S, 7 IGBT 75A 1200V NX6

CM75RX-24S, 7 IGBT 75A 1200V NX6

2-3 Дня

6 336,96

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

1 неделя

6 459,83

PM75CG1B120#300G, модуль

PM75CG1B120#300G, модуль

2-3 Дня

8 455,03

SKM75GB176D

SKM75GB176D

2-4 Дня

5 514,80

Страницы:

Всего товаров: 150

MOSFET и IGBT-модули управляют потоком носителей заряда с помощью создания электрического поля затвора, то есть благодаря прилагаемому к затвору напряжению.

Если IGBT-транзистор находится в состоянии open, то рабочий ток течет по переходу p-n. В модулях MOSFET ток идет каналом сток/исток с резистивным типом. Возможности для рассеивания мощности у них различны:

  • MOSFET-модуль имеет рассеиваемую мощность, которая пропорциональна квадрату канального тока и сопротивлению канала.
  • IGBT (БТИЗ) — мощность, которая пропорциональна канальному току в 1-й степени и напряжению насыщения коллектор/эмиттер.

Для снижения потерь на ключе уместен будет выбор MOSFET-модуля с минимальным сопротивлением канала. Но следует помнить: чем выше температура полупроводника, тем выше сопротивление и затрата на нагревание. В IGBT-модулях с повышением температуры напряжение насыщения ниже, затраты на нагревание — тоже. Динамические характеристики в последних ограничены, как и предельная рабочая частота.

Интернет-магазин «Созвездие» приглашает к сотрудничеству юридических и частных лиц. Мы реализуем высококачественные электронные компоненты выгодно оптом и в розницу. Покупка возможна по безналу, с оформлением на доставку или самовывоз. Дешевые радиодетали от лучших мировых производителей — товары с гарантийными документами ждут вас!