КАТАЛОГ ТОВАРОВ

MOSFET и IGBT модули

Описание категории

IGBT модули — это силовая сборка, основу которой составляют IGBT-транзисторы - полупроводниковые приборы, сочетающие в себе как биполярный, так и полевой транзисторы. Купить IGBT модули можно в интернет-магазине «Созвездие». На всю поставляемую продукцию предоставляется гарантия.


Сортировать по:
Товаров на стр:
Показать:
BSS123NH6327XTSA1

Infineon Technologies

BSS123NH6327XTSA1

2-4 Дня

4,74

IKCM15F60GAXKMA1

Infineon Technologies

IKCM15F60GAXKMA1

2-4 Дня

858,20

RA30H1317M1-501

Mitsubishi Electric

RA30H1317M1-501

2-3 Дня

2 548,56

SKM100GB176D

Semikron

SKM100GB176D

2-4 Дня

8 692,10

SKM195GB066D

Semikron

SKM195GB066D

2-4 Дня

8 850,52

FF600R12KE4BOSA1

Infineon Technologies

FF600R12KE4BOSA1

2-4 Дня

8 815,18

SKM150GB12T4

Semikron

SKM150GB12T4

2-4 Дня

8 691,41

IGCM06F60GAXKMA1

Infineon Technologies

IGCM06F60GAXKMA1

2-4 Дня

710,92

IRSM505-035DA

Infineon Technologies

IRSM505-035DA

2-4 Дня

287,25

IKCM20L60GDXKMA1

Infineon Technologies

IKCM20L60GDXKMA1

2-4 Дня

806,92

TC426COA713 ,SOIC8

Microchip Technology

TC426COA713 , SOIC8

2-3 Дня

58,85

SKM100GB125DN

Semikron

SKM100GB125DN

2-4 Дня

8 741,50

SKM200GB12T4

Semikron

SKM200GB12T4

2-4 Дня

7 235,93

SKIIP13NAB065V1

Semikron

SKIIP13NAB065V1

2-4 Дня

3 725,90

SKM300GB125D

Semikron

SKM300GB125D

2-4 Дня

9 316,42

SKM400GB125D

Semikron

SKM400GB125D

2-4 Дня

14 001,59

IKCM30F60GAXKMA1

Infineon Technologies

IKCM30F60GAXKMA1

2-4 Дня

1 470,70

SKM75GB12T4

Semikron

SKM75GB12T4

2-4 Дня

3 512,87

FF200R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

FF200R12KS4HOSA1

2-4 Дня

8 532,99

Страницы:

Всего товаров: 242

MOSFET и IGBT-модули управляют потоком носителей заряда с помощью создания электрического поля затвора, то есть благодаря прилагаемому к затвору напряжению.

Если IGBT-транзистор находится в состоянии open, то рабочий ток течет по переходу p-n. В модулях MOSFET ток идет каналом сток/исток с резистивным типом. Возможности для рассеивания мощности у них различны:

  • MOSFET-модуль имеет рассеиваемую мощность, которая пропорциональна квадрату канального тока и сопротивлению канала.
  • IGBT (БТИЗ) — мощность, которая пропорциональна канальному току в 1-й степени и напряжению насыщения коллектор/эмиттер.

Для снижения потерь на ключе уместен будет выбор MOSFET-модуля с минимальным сопротивлением канала. Но следует помнить: чем выше температура полупроводника, тем выше сопротивление и затрата на нагревание. В IGBT-модулях с повышением температуры напряжение насыщения ниже, затраты на нагревание — тоже. Динамические характеристики в последних ограничены, как и предельная рабочая частота.

Интернет-магазин «Созвездие» приглашает к сотрудничеству юридических и частных лиц. Мы реализуем высококачественные электронные компоненты выгодно оптом и в розницу. Покупка возможна по безналу, с оформлением на доставку или самовывоз. Дешевые радиодетали от лучших мировых производителей — товары с гарантийными документами ждут вас!