КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Обнаружили неточность?

Если Вы обнаружили на сайте неточность или столкнулись с проблемой, пожалуйста, дайте нам об этом знать.
Напишите нам

MOSFET и IGBT модули

Описание категории
Производитель
Сбросить фильтр
Сортировать по:
SKM100GB176D

Semikron

SKM100GB176D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 458,77

PM10CZF120, 6 IGBT модуль 1200V 10A 3-gen (S-Series)

Mitsubishi Electric

PM10CZF120, 6 IGBT модуль 1200V 10A 3-gen (S-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

1 574,40

SKM195GB066D

Semikron

SKM195GB066D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 600,98

SKM75GB12T4

Semikron

SKM75GB12T4

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

3 029,62

SKM150GB12T4

Semikron

SKM150GB12T4

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 919,14

RA30H1317M1-501

Mitsubishi Electric

RA30H1317M1-501

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

2 359,02

PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 500,00

PM100CVA120, 6 IGBT модуль 1200V 100A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM100CVA120, 6 IGBT модуль 1200V 100A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

10 044,40

FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF225R12ME4BOSA1

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

11 819,83

TC426COA713 ,SOIC8

Microchip Technology

TC426COA713 , SOIC8

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

62,59

FZ1500R33HE3BPSA1 IGBT модуль FZ1500R33HE3 SP001181576 IN

Infineon Technologies

FZ1500R33HE3BPSA1 IGBT модуль FZ1500R33HE3 SP001181576 IN

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

218 117,28

PM75CVA120, 6 IGBT 1200V 75A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM75CVA120, 6 IGBT 1200V 75A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 680,00

PS12034, Силовой модуль 6IGBT+ 3-х фазный диодный мост (1200В 10A)

Mitsubishi Electric

PS12034, Силовой модуль 6IGBT+ 3-х фазный диодный мост (1200В 10A)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 444,81

PM50RSD120, 7 IGBT модуль 1200V 50A 4-gen (S-Dash-Series)

Mitsubishi Electric

PM50RSD120, 7 IGBT модуль 1200V 50A 4-gen (S-Dash-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 226,33

PS22A76,DIP-IPM ver4. 1200В 25А

Mitsubishi Electric

PS22A76, DIP-IPM ver4. 1200В 25А

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 467,95

SKM200GB125D

Semikron

SKM200GB125D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

9 759,69

SKM300GB125D

Semikron

SKM300GB125D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

9 699,79

CM400DY-34A, 2 IGBT 1700V 400A 5-gen (A-Series)

Mitsubishi Electric

CM400DY-34A, 2 IGBT 1700V 400A 5-gen (A-Series)

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

21 708,64

MG12200D-BA1MM,  IGBT-модуль сдвоенный (1200В 200А)

Littelfuse

MG12200D-BA1MM, IGBT-модуль сдвоенный (1200В 200А)

В избранное

В избранное
В наличии В избранное

10 087,01

SEMIX302GB066HDS

Semikron

SEMIX302GB066HDS

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 719,67

CM200DX-24S, 2 IGBT 200A 1200V NX6

Mitsubishi Electric

CM200DX-24S, 2 IGBT 200A 1200V NX6

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

6 839,48

SKIIP35NAB126V1, Модуль силовой

Semikron

SKIIP35NAB126V1, Модуль силовой

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

11 130,77

SKIIP13NAB065V1

Semikron

SKIIP13NAB065V1

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

3 848,59

SKM200GB126D

Semikron

SKM200GB126D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

7 678,85

CM200DU-24NFH, 2 IGBT 1200V 200A 50kHz (NFH-Series)

Mitsubishi Electric

CM200DU-24NFH, 2 IGBT 1200V 200A 50kHz (NFH-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

10 593,26

FF100R12RT4

Infineon Technologies

FF100R12RT4

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

5 180,45

MAX845ESA+, Микросхема драйв.разв.пит. SO8

Maxim Integrated

MAX845ESA+, Микросхема драйв.разв.пит. SO8

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

216,48

CM100DY-34A, 2 IGBT 1700V 100A 5-gen (A-Series)

Mitsubishi Electric

CM100DY-34A, 2 IGBT 1700V 100A 5-gen (A-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

7 140,00

PM450DV1A120, 1200V 450A (V1-Series)

Mitsubishi Electric

PM450DV1A120, 1200V 450A (V1-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

18 960,00

SKM100GB063D

Semikron

SKM100GB063D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 311,53

SKM100GAL12T4, IGBT-модуль (1200В 100А)

Semikron

SKM100GAL12T4, IGBT-модуль (1200В 100А)

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 315,51

CM200RL-24NF, 7 IGBT 1200V 200A 5-gen (NF-Series)

Mitsubishi Electric

CM200RL-24NF, 7 IGBT 1200V 200A 5-gen (NF-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

17 520,00

CM150DX-34SA, 6 IGBT модуль 150A 1700V NX6

Mitsubishi Electric

CM150DX-34SA, 6 IGBT модуль 150A 1700V NX6

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

6 900,00

SKM400GB126D

Semikron

SKM400GB126D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

9 575,94

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

Mitsubishi Electric

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 028,61

CM300HA-24H, 1 IGBT 1200V 300A 3-gen (H-Series)

Mitsubishi Electric

CM300HA-24H, 1 IGBT 1200V 300A 3-gen (H-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

12 635,32

CM300DX-24S, 2 IGBT 300A 1200V NX6

Mitsubishi Electric

CM300DX-24S, 2 IGBT 300A 1200V NX6

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

9 359,29

CM300DU-24NFH, 2 IGBT модуль 1200V 300A 50kHz (NFH-Series)

Mitsubishi Electric

CM300DU-24NFH, 2 IGBT модуль 1200V 300A 50kHz (NFH-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

15 660,00

SKM200GB176D

Semikron

SKM200GB176D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

10 233,09

PM75RL1A120, 7 IGBT 1200V 75A 5-gen (L1-Series)

Mitsubishi Electric

PM75RL1A120, 7 IGBT 1200V 75A 5-gen (L1-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

14 439,34

SKIIP24NAB126V10, Модуль силовой

Semikron

SKIIP24NAB126V10, Модуль силовой

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 953,06

SKIIP25AC126V1

Semikron

SKIIP25AC126V1

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

6 658,89

CP25TD1-24A, 3-ф+тормозн+мост 25A 1200V

Mitsubishi Electric

CP25TD1-24A, 3-ф+тормозн+мост 25A 1200V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 924,44

FF1200R12KE3NOSA1

Infineon Technologies

FF1200R12KE3NOSA1

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

116 343,78

FM600TU-07A, 6-MOSFET 75V 300A

Mitsubishi Electric

FM600TU-07A, 6-MOSFET 75V 300A

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

26 428,28

CP30TD1-12A, 3-ф+тормозн+мост 30A 600V

Mitsubishi Electric

CP30TD1-12A, 3-ф+тормозн+мост 30A 600V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 851,03

CM75E3U-12H, 3 IGBT модуль 600V 75A 3 gen (U-series)

Mitsubishi Electric

CM75E3U-12H, 3 IGBT модуль 600V 75A 3 gen (U-series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 120,00

CM600HU-24F, 1 IGBT RTC 1200V 600A 4-gen (F-Series)

Mitsubishi Electric

CM600HU-24F, 1 IGBT RTC 1200V 600A 4-gen (F-Series)

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

28 700,54

CM150DU-24F, 2 IGBT RTC 1200V 150A 4-gen (F-Series)

Mitsubishi Electric

CM150DU-24F, 2 IGBT RTC 1200V 150A 4-gen (F-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

10 099,28

SKM75GB176D

Semikron

SKM75GB176D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 703,38

Показать еще 50 товаров
Страницы:

Всего товаров: 245

IGBT модули — это силовая сборка, основу которой составляют IGBT-транзисторы - полупроводниковые приборы, сочетающие в себе как биполярный, так и полевой транзисторы. Купить IGBT модули можно в интернет-магазине «Созвездие». На всю поставляемую продукцию предоставляется гарантия.

MOSFET и IGBT-модули управляют потоком носителей заряда с помощью создания электрического поля затвора, то есть благодаря прилагаемому к затвору напряжению.

Если IGBT-транзистор находится в состоянии open, то рабочий ток течет по переходу p-n. В модулях MOSFET ток идет каналом сток/исток с резистивным типом. Возможности для рассеивания мощности у них различны:

  • MOSFET-модуль имеет рассеиваемую мощность, которая пропорциональна квадрату канального тока и сопротивлению канала.
  • IGBT (БТИЗ) — мощность, которая пропорциональна канальному току в 1-й степени и напряжению насыщения коллектор/эмиттер.

Для снижения потерь на ключе уместен будет выбор MOSFET-модуля с минимальным сопротивлением канала. Но следует помнить: чем выше температура полупроводника, тем выше сопротивление и затрата на нагревание. В IGBT-модулях с повышением температуры напряжение насыщения ниже, затраты на нагревание — тоже. Динамические характеристики в последних ограничены, как и предельная рабочая частота.

Интернет-магазин «Созвездие» приглашает к сотрудничеству юридических и частных лиц. Мы реализуем высококачественные электронные компоненты выгодно оптом и в розницу. Покупка возможна по безналу, с оформлением на доставку или самовывоз. Дешевые радиодетали от лучших мировых производителей — товары с гарантийными документами ждут вас!