КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Обнаружили неточность?

Если Вы обнаружили на сайте неточность или столкнулись с проблемой, пожалуйста, дайте нам об этом знать.
Напишите нам

MOSFET и IGBT модули

Описание категории
Производитель
Сбросить фильтр
Сортировать по:
PM10CZF120, 6 IGBT модуль 1200V 10A 3-gen (S-Series)

Mitsubishi Electric

PM10CZF120, 6 IGBT модуль 1200V 10A 3-gen (S-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

856,08

SKM100GB176D

Semikron

SKM100GB176D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 790,18

SKM100GB12T4

Semikron

SKM100GB12T4

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 193,26

CM600E2Y-34H, Brake HV-IGBT 1700V 600A

Mitsubishi Electric

CM600E2Y-34H, Brake HV-IGBT 1700V 600A

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

34 421,39

PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

2 568,24

FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF225R12ME4BOSA1

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

5 857,85

RA30H1317M1-501

Mitsubishi Electric

RA30H1317M1-501

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

2 743,28

PM100CVA120, 6 IGBT модуль 1200V 100A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM100CVA120, 6 IGBT модуль 1200V 100A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

7 301,51

PM75CVA120, 6 IGBT 1200V 75A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM75CVA120, 6 IGBT 1200V 75A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

2 145,12

PS12034, Силовой модуль 6IGBT+ 3-х фазный диодный мост (1200В 10A)

Mitsubishi Electric

PS12034, Силовой модуль 6IGBT+ 3-х фазный диодный мост (1200В 10A)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 997,57

PM50RSD120, 7 IGBT модуль 1200V 50A 4-gen (S-Dash-Series)

Mitsubishi Electric

PM50RSD120, 7 IGBT модуль 1200V 50A 4-gen (S-Dash-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 109,57

SKM150GB12T4

Semikron

SKM150GB12T4

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 096,33

SKM150GAL12T4, Модуль IGBT

Semikron

SKM150GAL12T4, Модуль IGBT

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 879,41

SKIIP24NAB126V10, Модуль силовой

Semikron

SKIIP24NAB126V10, Модуль силовой

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

7 535,46

CM400DY-34A, 2 IGBT 1700V 400A 5-gen (A-Series)

Mitsubishi Electric

CM400DY-34A, 2 IGBT 1700V 400A 5-gen (A-Series)

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

21 302,00

MG12200D-BA1MM,  IGBT-модуль сдвоенный (1200В 200А)

Littelfuse

MG12200D-BA1MM, IGBT-модуль сдвоенный (1200В 200А)

В избранное

В избранное
В наличии В избранное

12 104,41

CM1200DC-34N, 2 HV-IGBT 1700V 1200A

Mitsubishi Electric

CM1200DC-34N, 2 HV-IGBT 1700V 1200A

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

72 717,60

CM600DU-24NF, 2 IGBT 1200V 600A 5-gen (NF-Series)

Mitsubishi Electric

CM600DU-24NF, 2 IGBT 1200V 600A 5-gen (NF-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

20 958,58

CM200DX-24S, 2 IGBT 200A 1200V NX6

Mitsubishi Electric

CM200DX-24S, 2 IGBT 200A 1200V NX6

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

6 711,38

SKM200GB12T4

Semikron

SKM200GB12T4

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

8 115,77

SKHI22AH4R, Hybrid Dual IGBT Driver

Semikron

SKHI22AH4R, Hybrid Dual IGBT Driver

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

10 229,29

SKHI22AH4R, Hybrid Dual IGBT Driver

Semikron

SKHI22AH4R, Hybrid Dual IGBT Driver

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

10 229,29

CP30TD1-12A, 3-ф+тормозн+мост 30A 600V

Mitsubishi Electric

CP30TD1-12A, 3-ф+тормозн+мост 30A 600V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 633,41

CM100DY-34A, 2 IGBT 1700V 100A 5-gen (A-Series)

Mitsubishi Electric

CM100DY-34A, 2 IGBT 1700V 100A 5-gen (A-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

6 793,49

SEMIX302GB066HDS

Semikron

SEMIX302GB066HDS

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

7 204,89

SKM75GB176D

Semikron

SKM75GB176D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 469,99

MIC4452YM

Microchip Technology

MIC4452YM

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

182,16

CM400HA-24A#300G, 1 IGBT 1200V 400A 5-gen (A-Series)

Mitsubishi Electric

CM400HA-24A#300G, 1 IGBT 1200V 400A 5-gen (A-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

9 938,40

PM450DV1A120, 1200V 450A (V1-Series)

Mitsubishi Electric

PM450DV1A120, 1200V 450A (V1-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

18 059,36

PS22A74,DIP-IPM ver4. 1200В 15А

Mitsubishi Electric

PS22A74, DIP-IPM ver4. 1200В 15А

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

2 703,96

PM200DV1A120, 1200V 200A (V1-Series)

Mitsubishi Electric

PM200DV1A120, 1200V 200A (V1-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

16 323,77

CM400DY-12NF, 2 IGBT 600V 400A 5-gen (NF-Series)

Mitsubishi Electric

CM400DY-12NF, 2 IGBT 600V 400A 5-gen (NF-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

14 972,34

CM300DX-24S, 2 IGBT 300A 1200V NX6

Mitsubishi Electric

CM300DX-24S, 2 IGBT 300A 1200V NX6

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

9 183,98

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

Mitsubishi Electric

PS12015-A, AS-IPM 1.5кВт AC400V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

902,35

FF1200R12KE3NOSA1

Infineon Technologies

FF1200R12KE3NOSA1

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

46 243,52

SKIIP11NAB126V1

Semikron

SKIIP11NAB126V1

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 456,44

CM150DX-34SA, 6 IGBT модуль 150A 1700V NX6

Mitsubishi Electric

CM150DX-34SA, 6 IGBT модуль 150A 1700V NX6

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

6 565,14

BSM10GD120DN2BOSA1 IGBT модуль BSM10GD120DN2 SP000100367

Infineon Technologies

BSM10GD120DN2BOSA1 IGBT модуль BSM10GD120DN2 SP000100367

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

4 939,20

SKM200GB126D

Semikron

SKM200GB126D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

9 157,90

CM200RL-24NF, 7 IGBT 1200V 200A 5-gen (NF-Series)

Mitsubishi Electric

CM200RL-24NF, 7 IGBT 1200V 200A 5-gen (NF-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

16 669,74

FF100R12RT4

Infineon Technologies

FF100R12RT4

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

5 355,95

CM300HA-24H, 1 IGBT 1200V 300A 3-gen (H-Series)

Mitsubishi Electric

CM300HA-24H, 1 IGBT 1200V 300A 3-gen (H-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

11 962,13

SKIIP35NAB126V1, Модуль силовой

Semikron

SKIIP35NAB126V1, Модуль силовой

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

12 263,51

CM75E3U-12H, 3 IGBT модуль 600V 75A 3 gen (U-series)

Mitsubishi Electric

CM75E3U-12H, 3 IGBT модуль 600V 75A 3 gen (U-series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

1 426,80

FF450R12KT4HOSA1

Infineon Technologies

FF450R12KT4HOSA1

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

12 449,05

CM600DX-24S1, 2 IGBT 600A 1200V ( NX6.1- series)

Mitsubishi Electric

CM600DX-24S1, 2 IGBT 600A 1200V ( NX6.1- series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

14 201,44

CM200DY-24A#300G, 2 IGBT 1200V 200A 5-gen (A-Series), замена CM200DU-24F

Mitsubishi Electric

CM200DY-24A#300G, 2 IGBT 1200V 200A 5-gen (A-Series), замена CM200DU-24F

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

10 675,85

CM150DX-24S, 6 IGBT 150A 1200V 6-gen (NX-Series)

Mitsubishi Electric

CM150DX-24S, 6 IGBT 150A 1200V 6-gen (NX-Series)

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

5 173,28

FS75R12KE3

Infineon Technologies

FS75R12KE3

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

12 341,70

PS22A79, DIP-IPM ver4 . 1200В 50А

Mitsubishi Electric

PS22A79, DIP-IPM ver4 . 1200В 50А

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

7 576,80

PM75RL1A120, 7 IGBT 1200V 75A 5-gen (L1-Series)

Mitsubishi Electric

PM75RL1A120, 7 IGBT 1200V 75A 5-gen (L1-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

14 946,18

Показать еще 50 товаров
Страницы:

Всего товаров: 251

IGBT модули — это силовая сборка, основу которой составляют IGBT-транзисторы - полупроводниковые приборы, сочетающие в себе как биполярный, так и полевой транзисторы. Купить IGBT модули можно в интернет-магазине «Созвездие». На всю поставляемую продукцию предоставляется гарантия.

MOSFET и IGBT-модули управляют потоком носителей заряда с помощью создания электрического поля затвора, то есть благодаря прилагаемому к затвору напряжению.

Если IGBT-транзистор находится в состоянии open, то рабочий ток течет по переходу p-n. В модулях MOSFET ток идет каналом сток/исток с резистивным типом. Возможности для рассеивания мощности у них различны:

  • MOSFET-модуль имеет рассеиваемую мощность, которая пропорциональна квадрату канального тока и сопротивлению канала.
  • IGBT (БТИЗ) — мощность, которая пропорциональна канальному току в 1-й степени и напряжению насыщения коллектор/эмиттер.

Для снижения потерь на ключе уместен будет выбор MOSFET-модуля с минимальным сопротивлением канала. Но следует помнить: чем выше температура полупроводника, тем выше сопротивление и затрата на нагревание. В IGBT-модулях с повышением температуры напряжение насыщения ниже, затраты на нагревание — тоже. Динамические характеристики в последних ограничены, как и предельная рабочая частота.

Интернет-магазин «Созвездие» приглашает к сотрудничеству юридических и частных лиц. Мы реализуем высококачественные электронные компоненты выгодно оптом и в розницу. Покупка возможна по безналу, с оформлением на доставку или самовывоз. Дешевые радиодетали от лучших мировых производителей — товары с гарантийными документами ждут вас!