КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Обнаружили неточность?

Если Вы обнаружили на сайте неточность или столкнулись с проблемой, пожалуйста, дайте нам об этом знать.
Напишите нам
Главная Электронные компоненты Полупроводниковые модули

Полупроводниковые модули

Описание категории
Показать категории
Сортировать по:
VNS1NV04DP-E

ST Microelectronics

VNS1NV04DP-E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

68,48

VS-UFB280FA40,(замена VS-UFB200FA40P)2UFAST 400В 280А SOT227

Vishay

VS-UFB280FA40, (замена VS-UFB200FA40P)2UFAST 400В 280А SOT227

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

1 092,34

SKKT106/16E, Модуль тиристорный (1600В 180А)

Semikron

SKKT106/16E, Модуль тиристорный (1600В 180А)

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 151,48

SK70KQ16

Semikron

SK70KQ16

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

1 150,52

SKKT92/12E, Тиристорный модуль

Semikron

SKKT92/12E, Тиристорный модуль

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

1 858,70

VS-UFB280FA20

Vishay

VS-UFB280FA20

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

1 017,29

RA07M3340M-101, 330-400 MHz 7W 7.2V

Mitsubishi Electric

RA07M3340M-101, 330-400 MHz 7W 7.2V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

984,42

SKM100GB176D

Semikron

SKM100GB176D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 153,38

PM10CZF120, 6 IGBT модуль 1200V 10A 3-gen (S-Series)

Mitsubishi Electric

PM10CZF120, 6 IGBT модуль 1200V 10A 3-gen (S-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

1 535,04

SKM195GB066D

Semikron

SKM195GB066D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 492,71

SKM145GB176D

Semikron

SKM145GB176D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 739,04

SKM100GB125DN

Semikron

SKM100GB125DN

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 851,21

RA08H1317M-502, 135-175MHz 8W 12.5V, = RA08H1317M-101, =  RA08H1317M-501, вч модуль

Mitsubishi Electric

RA08H1317M-502, 135-175MHz 8W 12.5V, = RA08H1317M-101, = RA08H1317M-501, вч модуль

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

1 504,13

DSEI2X101-12A

IXYS

DSEI2X101-12A

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

2 141,00

TD320N16SOFHPSA1 Тиристорный модуль TD320N16SOF SP0013287

Infineon Technologies

TD320N16SOFHPSA1 Тиристорный модуль TD320N16SOF SP0013287

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

6 192,55

RA30H1317M1-501

Mitsubishi Electric

RA30H1317M1-501

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

2 666,64

RA03M8087M-101, 806-870 MHz 3.6W 7.2V

Mitsubishi Electric

RA03M8087M-101, 806-870 MHz 3.6W 7.2V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

1 357,12

PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 431,26

RA03M8894M-101, 889-941 MHz 3.6W 7.2V

Mitsubishi Electric

RA03M8894M-101, 889-941 MHz 3.6W 7.2V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

1 314,84

2SC0435T2A0-17, SCALE-2 IGBT DRIVER 35A / 20W 2 Channel 1200-1700V

CT-Concept

2SC0435T2A0-17, SCALE-2 IGBT DRIVER 35A / 20W 2 Channel 1200-1700V

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

8 634,50

FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF225R12ME4BOSA1

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

11 819,83

PM100CVA120, 6 IGBT модуль 1200V 100A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM100CVA120, 6 IGBT модуль 1200V 100A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

9 769,50

RA07N4047M-101, 400-470MHz 7W 9.6V

Mitsubishi Electric

RA07N4047M-101, 400-470MHz 7W 9.6V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

1 302,97

MAX845ESA+, Микросхема драйв.разв.пит. SO8

Maxim Integrated

MAX845ESA+, Микросхема драйв.разв.пит. SO8

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

256,66

SKKT162/12E

Semikron

SKKT162/12E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 982,35

SKKT107/16E

Semikron

SKKT107/16E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

1 594,04

SKUT115/16TV2

Semikron

SKUT115/16TV2

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 393,23

FZ1500R33HE3BPSA1 IGBT модуль FZ1500R33HE3 SP001181576 IN

Infineon Technologies

FZ1500R33HE3BPSA1 IGBT модуль FZ1500R33HE3 SP001181576 IN

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

218 117,28

SKKT106/12E

Semikron

SKKT106/12E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 321,72

SKKE310F12

Semikron

SKKE310F12

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 603,98

PM75CVA120, 6 IGBT 1200V 75A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM75CVA120, 6 IGBT 1200V 75A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 985,20

SKKT162/18E

Semikron

SKKT162/18E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 437,96

TD120N16SOFHPSA1 Тиристорный модуль TD120N16SOF SP0012728

Infineon Technologies

TD120N16SOFHPSA1 Тиристорный модуль TD120N16SOF SP0012728

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

1 466,92

RA60H1317M1A-501, =RA60H1317M-101, вч тразистор

Mitsubishi Electric

RA60H1317M1A-501, =RA60H1317M-101, вч тразистор

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 492,17

PS12034, Силовой модуль 6IGBT+ 3-х фазный диодный мост (1200В 10A)

Mitsubishi Electric

PS12034, Силовой модуль 6IGBT+ 3-х фазный диодный мост (1200В 10A)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 323,17

SKKH57/16E

Semikron

SKKH57/16E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

1 941,64

PM50RSD120, 7 IGBT модуль 1200V 50A 4-gen (S-Dash-Series)

Mitsubishi Electric

PM50RSD120, 7 IGBT модуль 1200V 50A 4-gen (S-Dash-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 164,05

RA07M1317M-501, =RA07M1317M-101

Mitsubishi Electric

RA07M1317M-501, =RA07M1317M-101

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

1 231,79

SKKH92/16E

Semikron

SKKH92/16E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 564,68

SKM100GB12T4

Semikron

SKM100GB12T4

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 059,31

SKKT92/16E

Semikron

SKKT92/16E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 511,60

RA60H3847M1A-101

Mitsubishi Electric

RA60H3847M1A-101

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 043,80

SKKT162/16E, тирис 1600V 162A

Semikron

SKKT162/16E, тирис 1600V 162A

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

3 971,81

TD175N16SOFHPSA1 Тиристорный модуль TD175N16SOF SP001206236 INF

Infineon Technologies

TD175N16SOFHPSA1 Тиристорный модуль TD175N16SOF SP001206236 INF

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

3 019,54

PS22A76,DIP-IPM ver4. 1200В 25А

Mitsubishi Electric

PS22A76, DIP-IPM ver4. 1200В 25А

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 203,11

RA13H3340M,330-400МГц 13Вт 12.5В

Mitsubishi Electric

RA13H3340M, 330-400МГц 13Вт 12.5В

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

2 162,00

SKCH28/12, Диодно-тиристорный модуль

Semikron

SKCH28/12, Диодно-тиристорный модуль

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 980,14

SKYPER32R

Semikron

SKYPER32R

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 351,91

SKKT330/16E

Semikron

SKKT330/16E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

10 274,21

MCC95-16IO1B

IXYS

MCC95-16IO1B

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

2 824,81

Показать еще 50 товаров
Страницы:

Всего товаров: 399

Полупроводниковые модули представляют собой набор из нескольких независимых устройств, размещенных в одном корпусе. Такое решение дает возможность обеспечить пассивный отвод тепла, выделяемого при работе активных элементов электрической схемы. Тепло корпусом модуля «сбрасывается» в окружающую воздушную среду.

На сайте представлено несколько разных видов таких модульных конструкций:

  • твердотельные ВЧ и СВЧ конструкции;
  • диодные, тиристорные и симисторные сборки;
  • IGBT и MOSFET модули;
  • специальные источники тока-драйверы для питания IGBT-модулей и др.

Примером может служить тиристорный модуль модели L542 на ток в 25 A при напряжении 240 В.

В модулях не только объединяют несколько одинаковых устройств, но могут поместить довольно сложную схему. Конструкция корпуса защитит ее от пыли, влаги и избытка света, ультрафиолетового излучения и других внешних воздействий.