КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Обнаружили неточность?

Если Вы обнаружили на сайте неточность или столкнулись с проблемой, пожалуйста, дайте нам об этом знать.
Напишите нам
Главная Электронные компоненты Полупроводниковые модули

Полупроводниковые модули

Описание категории
Показать категории
Сортировать по:
SK70KQ16

Semikron

SK70KQ16

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

1 709,00

SKKT106/16E, Модуль тиристорный (1600В 180А)

Semikron

SKKT106/16E, Модуль тиристорный (1600В 180А)

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 481,57

MIC4452YM

Microchip Technology

MIC4452YM

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

156,24

RA07M3340M-101, 330-400 MHz 7W 7.2V

Mitsubishi Electric

RA07M3340M-101, 330-400 MHz 7W 7.2V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

970,06

PM10CZF120, 6 IGBT модуль 1200V 10A 3-gen (S-Series)

Mitsubishi Electric

PM10CZF120, 6 IGBT модуль 1200V 10A 3-gen (S-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

856,08

SKM100GB176D

Semikron

SKM100GB176D

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 800,10

SKM100GB12T4

Semikron

SKM100GB12T4

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 204,01

TT120N16SOFHPSA1 Тиристорный модуль TT120N16SOF SP001272798 INF

Infineon Technologies

TT120N16SOFHPSA1 Тиристорный модуль TT120N16SOF SP001272798 INF

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

1 635,28

TT120N16SOFHPSA1 Тиристорный модуль TT120N16SOF SP001272798 INF

Infineon Technologies

TT120N16SOFHPSA1 Тиристорный модуль TT120N16SOF SP001272798 INF

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

1 635,28

SKKH106/16E

Semikron

SKKH106/16E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 476,32

T720N12TOFXPSA1 Тиристор силовой T720N12TOF SP000640392 I

Infineon Technologies

T720N12TOFXPSA1 Тиристор силовой T720N12TOF SP000640392 I

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

10 958,38

T720N12TOFXPSA1 Тиристор силовой T720N12TOF SP000640392 I

Infineon Technologies

T720N12TOFXPSA1 Тиристор силовой T720N12TOF SP000640392 I

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

10 958,38

SKKT106/12E

Semikron

SKKT106/12E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 461,70

TT175N16SOFHPSA1 Тиристорный модуль TT175N16SOF SP0012062

Infineon Technologies

TT175N16SOFHPSA1 Тиристорный модуль TT175N16SOF SP0012062

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

3 267,16

CM600E2Y-34H, Brake HV-IGBT 1700V 600A

Mitsubishi Electric

CM600E2Y-34H, Brake HV-IGBT 1700V 600A

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

34 448,78

PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM50RVA120, 7 IGBT 1200V 50A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

2 568,24

RA03M8087M-501, 806-870 MHz 3.6W 7.2V

Mitsubishi Electric

RA03M8087M-501, 806-870 MHz 3.6W 7.2V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

1 376,86

FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF225R12ME4BOSA1

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

5 862,52

SKKT162/16E, тирис 1600V 162A

Semikron

SKKT162/16E, тирис 1600V 162A

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 340,49

SKKT57/12E

Semikron

SKKT57/12E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 111,36

RA30H1317M1-501

Mitsubishi Electric

RA30H1317M1-501

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

2 745,48

PM100CVA120, 6 IGBT модуль 1200V 100A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM100CVA120, 6 IGBT модуль 1200V 100A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

7 301,51

SKUT115/16TV2

Semikron

SKUT115/16TV2

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 958,31

SKKT162/12E

Semikron

SKKT162/12E

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

4 078,96

SKKE310F12

Semikron

SKKE310F12

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 150,65

PM75CVA120, 6 IGBT 1200V 75A 3-gen (V-Series)

Mitsubishi Electric

PM75CVA120, 6 IGBT 1200V 75A 3-gen (V-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

2 145,12

SKKT92/12E, Тиристорный модуль

Semikron

SKKT92/12E, Тиристорный модуль

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 355,05

SKKH92/16E

Semikron

SKKH92/16E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 640,05

MCC95-16IO1B

IXYS

MCC95-16IO1B

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

2 900,33

PS12034, Силовой модуль 6IGBT+ 3-х фазный диодный мост (1200В 10A)

Mitsubishi Electric

PS12034, Силовой модуль 6IGBT+ 3-х фазный диодный мост (1200В 10A)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

3 997,57

SKKT107/16E

Semikron

SKKT107/16E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 128,73

PM50RSD120, 7 IGBT модуль 1200V 50A 4-gen (S-Dash-Series)

Mitsubishi Electric

PM50RSD120, 7 IGBT модуль 1200V 50A 4-gen (S-Dash-Series)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

4 109,57

SKM150GB12T4

Semikron

SKM150GB12T4

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 106,88

SKKT92/16E

Semikron

SKKT92/16E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 622,89

SKKH57/16E

Semikron

SKKH57/16E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

2 052,86

VS-UFB280FA40,(замена VS-UFB200FA40P)2UFAST 400В 280А SOT227

Vishay

VS-UFB280FA40, (замена VS-UFB200FA40P)2UFAST 400В 280А SOT227

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

3 036,11

SKKD81/12

Semikron

SKKD81/12

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

2 018,92

SKKT92B16E

Semikron

SKKT92B16E

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

3 752,44

SKKD100/12

Semikron

SKKD100/12

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

2 113,75

RA03M8894M-501, 889-941 MHz 3.6W 7.2V

Mitsubishi Electric

RA03M8894M-501, 889-941 MHz 3.6W 7.2V

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

1 456,32

SKCH28/12, Диодно-тиристорный модуль

Semikron

SKCH28/12, Диодно-тиристорный модуль

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

3 015,36

SKM150GAL12T4, Модуль IGBT

Semikron

SKM150GAL12T4, Модуль IGBT

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

4 889,51

SKIIP24NAB126V10, Модуль силовой

Semikron

SKIIP24NAB126V10, Модуль силовой

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

7 551,07

RA30H3340M1-501*, 330-400 MHz, 30 Watt, 67x19.4mm, H2M

Mitsubishi Electric

RA30H3340M1-501*, 330-400 MHz, 30 Watt, 67x19.4mm, H2M

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

2 383,42

CM400DY-34A, 2 IGBT 1700V 400A 5-gen (A-Series)

Mitsubishi Electric

CM400DY-34A, 2 IGBT 1700V 400A 5-gen (A-Series)

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

21 318,97

SKKD162/16

Semikron

SKKD162/16

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

3 967,68

SKDH115/12

Semikron

SKDH115/12

В избранное

В избранное
2-4 Дня В избранное

5 635,39

MG12200D-BA1MM,  IGBT-модуль сдвоенный (1200В 200А)

Littelfuse

MG12200D-BA1MM, IGBT-модуль сдвоенный (1200В 200А)

В избранное

В избранное
В наличии В избранное

12 104,41

SKKD26/12

Semikron

SKKD26/12

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

2 255,86

CM1200DC-34N, 2 HV-IGBT 1700V 1200A

Mitsubishi Electric

CM1200DC-34N, 2 HV-IGBT 1700V 1200A

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

72 717,60

SKKT42/12E, Модуль тиристорный (40А 1200В)

Semikron

SKKT42/12E, Модуль тиристорный (40А 1200В)

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

2 425,60

CM200DX-24S, 2 IGBT 200A 1200V NX6

Mitsubishi Electric

CM200DX-24S, 2 IGBT 200A 1200V NX6

В избранное

В избранное
5-7 дней В избранное

6 716,72

Показать еще 50 товаров
Страницы:

Всего товаров: 420

Полупроводниковые модули представляют собой набор из нескольких независимых устройств, размещенных в одном корпусе. Такое решение дает возможность обеспечить пассивный отвод тепла, выделяемого при работе активных элементов электрической схемы. Тепло корпусом модуля «сбрасывается» в окружающую воздушную среду.

На сайте представлено несколько разных видов таких модульных конструкций:

  • твердотельные ВЧ и СВЧ конструкции;
  • диодные, тиристорные и симисторные сборки;
  • IGBT и MOSFET модули;
  • специальные источники тока-драйверы для питания IGBT-модулей и др.

Примером может служить тиристорный модуль модели L542 на ток в 25 A при напряжении 240 В.

В модулях не только объединяют несколько одинаковых устройств, но могут поместить довольно сложную схему. Конструкция корпуса защитит ее от пыли, влаги и избытка света, ультрафиолетового излучения и других внешних воздействий.