КАТАЛОГ ТОВАРОВ

Память FLASH

Описание категории

Память FLASH — разновидность энергонезависимой памяти с неограниченными возможностями для чтения и ограниченными — для перезалива данных (около миллиона сеансов).


Сортировать по:
Товаров на стр:
Показать:
AT45DB081D-SU-SL383-AD,

Adesto Technologies

AT45DB081D-SU-SL383-AD,

7-9 дней

117,62

W25Q128JVSIQ

Winbond

W25Q128JVSIQ

2-4 Дня

65,14

MX60LF8G18AC-TI

Macronix

MX60LF8G18AC-TI

2-4 Дня

1 002,62

MX25L1606EM2I-12G

Macronix

MX25L1606EM2I-12G

2-4 Дня

40,64

W25X40CLSNIG

Winbond

W25X40CLSNIG

2-4 Дня

19,33

AT25SF161-SSHD-T

Adesto Technologies

AT25SF161-SSHD-T

7-9 дней

40,40

W25Q32JVSSIQ

Winbond

W25Q32JVSSIQ

2-4 Дня

32,26

AT25DN512C-SSHF-B

Adesto Technologies

AT25DN512C-SSHF-B

7-9 дней

26,90

W25Q80DVSNIG

Winbond

W25Q80DVSNIG

2-4 Дня

19,61

W25Q128FVSIG

Winbond

W25Q128FVSIG

2-4 Дня

113,40

MX30LF4G18AC-TI

Macronix

MX30LF4G18AC-TI

2-4 Дня

288,53

MX25L3233FM2I-08G

Macronix

MX25L3233FM2I-08G

2-4 Дня

27,88

AT25SF041-SSHD-T

Adesto Technologies

AT25SF041-SSHD-T

7-9 дней

20,54

MX25L12835FM2I-10G

Macronix

MX25L12835FM2I-10G

2-4 Дня

104,31

W25Q64FVSSIG

Winbond

W25Q64FVSSIG

2-4 Дня

62,56

AT45DB321E-SHF-T

Adesto Technologies

AT45DB321E-SHF-T

2-3 Дня

137,76

AT45DB081E-SSHN-T

Adesto Technologies

AT45DB081E-SSHN-T

7-9 дней

71,87

M28F101-90K1 PLCC

ST Microelectronics

M28F101-90K1 PLCC

2-3 Дня

610,08

M25P16-VMN6P

Micron Technology Inc.

M25P16-VMN6P

7-9 дней

83,96

W25Q64BVSFIG

Winbond

W25Q64BVSFIG

2-4 Дня

90,42

W25Q32FVSSIG

Winbond

W25Q32FVSSIG

2-4 Дня

61,04

AT45DB161D-TU

Adesto Technologies

AT45DB161D-TU

7-9 дней

85,43

Страницы:

Всего товаров: 113

Интернет-магазин «Созвездие предлагает широкий ассортимент полупроводниковых устройств – память FLASH, микросхема которой содержит информацию в транзисторном массиве. Современная флэш-память по скоростным показателям приближается к винчестеру. На таких микросхемах работают карты памяти. Память FLASH — один из основных видов полупроводниковых устройств с электрически перепрограммируемой возможностью, относится к классу памяти EEPROM.

Преимущества памяти FLASH:

  • компактность;
  • экономичность в энергопотреблении.

Недостатки – ограниченный ресурс и восприимчивость к электростатике.

Область применения:

  • Носители информации;
  • Фото и видеокамеры;
  • Музыкальные центры;
  • Принтеры;
  • Цифровые портативные устройства и др.

В каталоге предоставлены микросхемы ведущих американских и европейских производителей.