КАТАЛОГ ТОВАРОВ

Память FLASH

Описание категории

Память FLASH — разновидность энергонезависимой памяти с неограниченными возможностями для чтения и ограниченными — для перезалива данных (около миллиона сеансов).


Сортировать по:
Товаров на стр:
Показать:
AT45DB081D-SU-SL383-AD,

Adesto Technologies

AT45DB081D-SU-SL383-AD,

7-9 дней

123,60

W25Q128JVSIQ

Winbond

W25Q128JVSIQ

2-4 Дня

68,51

MX25L3206EZUI-12GT/R

Macronix

MX25L3206EZUI-12GT/R

2-4 Дня

70,94

MX60LF8G18AC-TI

Macronix

MX60LF8G18AC-TI

2-4 Дня

1 055,49

W25X40CLSNIG

Winbond

W25X40CLSNIG

2-4 Дня

19,82

AT25SF161-SSHD-T

Adesto Technologies

AT25SF161-SSHD-T

7-9 дней

41,46

W25Q32JVSSIQ

Winbond

W25Q32JVSSIQ

2-4 Дня

32,61

AT25DN512C-SSHF-B

Adesto Technologies

AT25DN512C-SSHF-B

7-9 дней

27,60

W25Q80DVSNIG

Winbond

W25Q80DVSNIG

2-4 Дня

20,62

W25Q128FVSIG

Winbond

W25Q128FVSIG

2-4 Дня

121,83

MX30LF4G18AC-TI

Macronix

MX30LF4G18AC-TI

2-4 Дня

303,47

MX25L3233FM2I-08G

Macronix

MX25L3233FM2I-08G

2-4 Дня

29,32

AT25SF041-SSHD-T

Adesto Technologies

AT25SF041-SSHD-T

7-9 дней

21,07

MX25L12835FM2I-10G

Macronix

MX25L12835FM2I-10G

2-4 Дня

103,41

M25P128-VMF6TPB

Micron Technology Inc.

M25P128-VMF6TPB

7-9 дней

364,64

AT45DB321E-SHF-T

Adesto Technologies

AT45DB321E-SHF-T

2-3 Дня

137,76

AT45DB081E-SSHN-T

Adesto Technologies

AT45DB081E-SSHN-T

7-9 дней

75,50

M28F101-90K1 PLCC

ST Microelectronics

M28F101-90K1 PLCC

2-3 Дня

629,76

M25P16-VMN6P

Micron Technology Inc.

M25P16-VMN6P

7-9 дней

88,22

W25Q64BVSFIG

Winbond

W25Q64BVSFIG

2-4 Дня

95,10

W25Q32FVSSIG

Winbond

W25Q32FVSSIG

2-4 Дня

64,26

AT45DB161D-TU

Adesto Technologies

AT45DB161D-TU

7-9 дней

89,76

Страницы:

Всего товаров: 113

Интернет-магазин «Созвездие предлагает широкий ассортимент полупроводниковых устройств – память FLASH, микросхема которой содержит информацию в транзисторном массиве. Современная флэш-память по скоростным показателям приближается к винчестеру. На таких микросхемах работают карты памяти. Память FLASH — один из основных видов полупроводниковых устройств с электрически перепрограммируемой возможностью, относится к классу памяти EEPROM.

Преимущества памяти FLASH:

  • компактность;
  • экономичность в энергопотреблении.

Недостатки – ограниченный ресурс и восприимчивость к электростатике.

Область применения:

  • Носители информации;
  • Фото и видеокамеры;
  • Музыкальные центры;
  • Принтеры;
  • Цифровые портативные устройства и др.

В каталоге предоставлены микросхемы ведущих американских и европейских производителей.