КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Обнаружили неточность?

Если Вы обнаружили на сайте неточность или столкнулись с проблемой, пожалуйста, дайте нам об этом знать.
Напишите нам

Память SRAM

Описание категории
Производитель
Сбросить фильтр
Сортировать по:
CY62128ELL-45SXI

Cypress Semiconductor

CY62128ELL-45SXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

202,14

UT6264CSCL-70LL (КР537РУ17) SO28

Utron Technology

UT6264CSCL-70LL (КР537РУ17) SO28

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

167,28

КР537РУ14А, (ОЗУ.4Кх1)

Россия

КР537РУ14А, (ОЗУ.4Кх1)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

26,57

CY62148ELL-55SXI

Cypress Semiconductor

CY62148ELL-55SXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

324,24

CY62148EV30LL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

CY62148EV30LL-45ZSXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

270,28

23K256-I/SN

Microchip Technology

23K256-I/SN

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

87,84

IS61WV25616EDBLL-10TLI

ISSI

IS61WV25616EDBLL-10TLI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

235,73

AS6C1008-55PCN, память SRAM 128K x 8, 2.7... 5.5В, 55нс

Alliance Memory

AS6C1008-55PCN, память SRAM 128K x 8, 2.7... 5.5В, 55нс

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

245,89

23LC1024-I/SN , SOIC8

Microchip Technology

23LC1024-I/SN , SOIC8

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

209,20

541РУ1А

Россия

541РУ1А

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

688,80

AS6C1008-55TIN, память SRAM 128K x 8, 3.3В, -40...+85C

Alliance Memory

AS6C1008-55TIN, память SRAM 128K x 8, 3.3В, -40...+85C

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

201,04

CY7C1021DV33-10ZSXI

Cypress Semiconductor

CY7C1021DV33-10ZSXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

138,35

AS6C4008-55SIN, Микросхема памяти SRAM (SOP32)

Alliance Memory

AS6C4008-55SIN, Микросхема памяти SRAM (SOP32)

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

378,28

AS7C256A-15TIN

Alliance Semiconductor Corporation

AS7C256A-15TIN

В избранное

В избранное
3-5 дней В избранное

157,92

CY62158ELL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

CY62158ELL-45ZSXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

276,46

AS7C34098A-12TIN, IC SRAM 256K X 16 3.3V 44-TSOP

Alliance Memory

AS7C34098A-12TIN, IC SRAM 256K X 16 3.3V 44-TSOP

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

511,27

UT62256CPCL-70LL (SRAM 32kx8) PDIP28

Utron Technology

UT62256CPCL-70LL (SRAM 32kx8) PDIP28

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

216,48

CY62128EV30LL-45ZXI

Cypress Semiconductor

CY62128EV30LL-45ZXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

97,86

CY62128ELL-45ZXI

Cypress Semiconductor

CY62128ELL-45ZXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

118,81

CY62148ELL-45ZSXI, SRAM 4MBIT 45NS 32TSOP

Cypress Semiconductor

CY62148ELL-45ZSXI, SRAM 4MBIT 45NS 32TSOP

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

264,44

CY7C199D-10VXI

Cypress Semiconductor

CY7C199D-10VXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

145,91

КР537РУ14Б

Россия

КР537РУ14Б

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

19,68

CY62167EV30LL-45ZXI

Cypress Semiconductor

CY62167EV30LL-45ZXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

652,16

537РУ14А

Россия

537РУ14А

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

86,59

537РУ9Б

Россия

537РУ9Б

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

157,44

AS7C256A-15JIN

Alliance Memory

AS7C256A-15JIN

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

209,64

CY7C1019DV33-10ZSXI

Cypress Semiconductor

CY7C1019DV33-10ZSXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

106,54

CY62177EV30LL-55ZXI

Cypress Semiconductor

CY62177EV30LL-55ZXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

1 674,07

AS7C34098A-10TIN

Alliance Memory

AS7C34098A-10TIN

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

541,72

M5M5V208KV-85LL, SRAM 256Kx8

Mitsubishi Electric

M5M5V208KV-85LL, SRAM 256Kx8

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

728,16

CY62157EV30LL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

CY62157EV30LL-45ZSXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

336,18

541РУ1 (ОСМ)

Россия

541РУ1 (ОСМ)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

521,52

CY62158EV30LL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

CY62158EV30LL-45ZSXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

288,35

UT62256CSCL-70LL (SRAM 32kx8) SO28

Utron Technology

UT62256CSCL-70LL (SRAM 32kx8) SO28

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

161,99

CY62256NLL-70PXC

Cypress Semiconductor

CY62256NLL-70PXC

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

269,39

AS6C62256-55PCN, память SRAM 32K x 8, 5В, 55нс

Alliance Memory

AS6C62256-55PCN, память SRAM 32K x 8, 5В, 55нс

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

229,91

CY7C1051DV33-10ZSXI

Cypress Semiconductor

CY7C1051DV33-10ZSXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

856,00

КР541РУ1

Россия

КР541РУ1

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

24,60

AS6C4008-55PCN, память SRAM 512K x 8 55нс

Alliance Memory

AS6C4008-55PCN, память SRAM 512K x 8 55нс

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

488,86

КР537РУ10, (ОЗУ.2Кх8)(HM6516-6)

Россия

КР537РУ10, (ОЗУ.2Кх8)(HM6516-6)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

49,20

AS6C62256-55SIN

Alliance Memory

AS6C62256-55SIN

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

181,13

КР537РУ8А

Россия

КР537РУ8А

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

59,04

CY62167DV30LL-55ZXI

Cypress Semiconductor

CY62167DV30LL-55ZXI

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

729,76

537РУ6А (ОСМ)

Россия

537РУ6А (ОСМ)

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

98,40

530РУ2

Россия

530РУ2

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

472,32

CY62256NLL-55SNXI, Микросхема памяти SRAM

Cypress Semiconductor

CY62256NLL-55SNXI, Микросхема памяти SRAM

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

236,93

AS6C8016-55ZIN

Alliance Memory

AS6C8016-55ZIN

В избранное

В избранное
7-9 дней В избранное

506,57

537РУ6Б

Россия

537РУ6Б

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

83,64

537РУ6А

Россия

537РУ6А

В избранное

В избранное
2-3 Дня В избранное

118,08

CY62256NLL-55SNXIT, Микросхема памяти SRAM (SO28)

Cypress Semiconductor

CY62256NLL-55SNXIT, Микросхема памяти SRAM (SO28)

В избранное

В избранное
В наличии В избранное

144,00

Показать еще 50 товаров
Страницы:

Всего товаров: 61

SRAM, или статическая оперативная память — разновидность памяти, используемая для чтения и записи данных на фоне запущенных программ и процессов. Она непригодна для длительного хранения информации, так как является неустойчивой и работает от питания без обновлений.

Виды памяти SRAMвиды памяти SRAM

Память SRAM в отличие от динамической оперативной памяти (DRAM), для сохранения ее содержимого не требует периодической регенерации. SRAM имеет более высокое быстродействие, чем DRAM, и может работать на той же частоте, что и современные ЦП. Однако для хранения каждого бита в конструкции SRAM используется кластер из шести транзисторов.

 

Существует 3 разновидности организации оперативной памяти:

  • адресная память;
  • память со стековой организацией;
  • ассоциативная организация ОП.

 

Свойства памяти SRAM

Статическая память с произвольным доступом представляет из себя полупроводниковую оперативную память, в ней двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью, а также позволяет поддерживать состояние без регенерации, необходимой в динамической памяти (DRAM). Память SRAM является энергозависимой и быстрой.

 

Плюсы памяти SRAM:

свойства памяти SRAM

  • Скорость доступа;
  • Простота схемотехники;
  • Возможность синхронизации на низких частотах.

 

Минусы статической оперативной памяти:

  • Большое энергопотребление.
  • Низкая плотность записи.
  • Довольно высокая цена килобайта памяти.

 

Сфера использования SRAM

SRAM использует в виде метода хранения информации переключатели (статические триггеры). Триггером называют элемент на транзисторах, который может находиться в одном из двух устойчивых состояний (0 и 1), а по внешнему сигналу он способен менять состояние. Таким образом, триггер может служить ячейкой памяти, хранящей один бит информации. Этот тип памяти не нуждается в перезарядке в отличие от конденсаторной (DRAM), поэтому работает быстрее.

сфера использования памяти SRAM

 

Конструктивные особенности SRAM

Быстродействие микросхем памяти SRAM выше, чем у остальных, но гораздо ниже протность, однако и цена достаточно высокая. Более низкая плотность означает, что микросхемы SRAM имеют большие габариты, но информационная емкость меньше. Число транзисторов и кластеризованное их размещение не только увеличивает габариты микросхем SRAM, но и значительно повышает стоимость процесса, если сравнивать с аналогами по параметрическим характеристикам.

 

Интернет-магазин «Созвездие» предлагает вам выбрать электронные компоненты для микросхем в удобном каталоге. Сделать заказ на самовывоз или с доставкой на объект можно онлайн. Расплачивайтесь безналом и приобретайте продукцию от лучших мировых производителей оптом и в розницу дешево и быстро!