Электроника
Энергетика
Оборудование рабочих мест
Электропитание
Телекоммуникации и связь
Хобби
Мы в соцсетях:
не получается найти нужный товар или у вас большой список - отправьте запрос
Главная → Электроника → Электронные компоненты → Полупроводниковые модули → MOSFET и IGBT модули → MG12200D-BA1MM, IGBT-модуль сдвоенный (1200В 200А)
MG12200D-BA1MM, IGBT-модуль сдвоенный (1200В 200А)
В наличии
Характеристики
Сдвоенные IGBT модули Littelfuse идеально подходят для применения в системах управления электроприводом, инверторах, преобразователях и установках индукционного нагрева. MG12200D-BA1MM обладает высокой устойчивостью к короткому замыканию, ультра низкими потерями, высокой надежностью, а также положительным температурным коэффициентом.
| Категория | Кремниевый IGBT модуль |
| Серия | MG12200D |
| Конфигурация | Сдвоенный |
| Максимально напряжение Коллектор-Эмиттер (Vceo Max), В | 1200 |
| Напряжение насыщения, В | 1,8 |
| Максимальный непрерывный ток коллектора при 25 C, А | 300 |
| Ток утечки Затвор-Эмиттер, нA | 400 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 1400 |
| Максимальная рабочая температура, °С | +150 |
| Минимальная рабочая температура, °С | -40 |
| Тип корпуса | Корпус D |
| Максимальное напряжение Затвор-Эмиттер, В | 20 |
| Вес, г | 285 |
| Соответствие директиве RoHS | RoHS Compliant |
| Производитель | Littelfuse |
Отзывы могут оставлять только зарегистрированные пользователи. Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь.
BSM100GB120DN2
2-3 дня
9 853,91
BSM150GB120DN2
2-3 дня
13 165,11
BSM15GP120
2-3 дня
7 988,29
BSM200GB60DLCHOSA1
2-3 дня
7 877,10
BSM25GD120DN2
2-3 дня
7 481,07
